利好消息!北方华创3D DRAM刻蚀突破:绕开EUV的国产存储新方向 北方华创最近官宣的3D DRAM刻蚀技术突破,让不少人觉得国产存储一下子就要弯道超车了。但先别急着乐观,这件事的真实分量,得拆成两层看。 首先这确实是实打实的重大利好:它的核心价值是跑出了一条不用完全依赖EUV光刻机的先进存储制造路线。之前我们做先进DRAM,卡脖子的关键环节里,EUV是绕不开的坎,现在相当于在技术路径上找到了一个全新的备选答案,给国产存储的远期发展撕开了一道新口子,长期产业价值非常大。 但也要拎清现实:目前这只是实验室里跑通原理的论文成果,不是已经落地的量产设备,更不代表长鑫这类厂商马上就能造出成熟的3D DRAM。 从原理验证到设备定型、产线适配、良率爬坡,中间隔着好几年的产业化路程,短期根本兑现不了业绩。 所以现在更多是情绪层面的催化,真正的行业收获,要往中长期看。