#长鑫科技第五代技术平台正式量产#
最新消息，通过变革工艺与新材料，实现45:1的超高存储电容深宽比，采用HKMG工艺将核心功能区高度降至6762纳米。存储密度大幅提增，同等条件下每片晶圆产出裸片数量较上一代提升至少50%，显著降低单位成本。
发布于 广东
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