比稀土还珍贵十大稀有材料  
1、磷化铟衬底
主要作用：800G、1.6T 高速光芯片基底材料，用于 AI 算力光模块、高速激光器、光探测器，是 CPO 共封装光学核心基材，替代方案极少。
稀缺程度：极度紧缺，全球供需缺口超 73%，高端 6 英寸衬底国内自给率不足 5%，单晶生长与产线建设扩产周期 24‑36 个月，海外厂商长期锁货排单。
核心公司：云南锗业，有研新材，三安光电，光迅科技，源杰科技。
2、薄膜铌酸锂晶体
主要作用：超高速电光调制器核心基材，用于 1.6T、3.2T 光模块与 CPO 器件，大幅提升光传输带宽、降低功耗，下一代光互联标配材料。
稀缺程度：重度紧缺，高端薄膜晶圆全球缺口 50% 以上，海外企业垄断大部分产能，国内大规模量产尚在推进，下游客户认证周期漫长。
核心公司：天通股份，光库科技，福晶科技，仕佳光子，腾景科技。
3、7N 半导体级高纯金属铟
主要作用：磷化铟衬底核心原料，同时用于 ITO 导电靶材、红外探测器件、薄膜太阳能电池，是面板、光通信产业关键原材料。
稀缺程度：极度紧缺，没有独立矿山，全部为锌矿冶炼伴生副产品，无法单独扩产；全球可开采储量有限，半导体级高纯品全球年产量仅几十吨，现货流通量少。
核心公司：锡业股份，株冶集团，有研新材，中金岭南，华锡有色。
4、7‑8N 半导体级高纯金属镓
主要作用：第三代半导体核心原料，用于氮化镓、砷化镓芯片，覆盖 5G 射频、雷达、快充功率器件、光电子、卫星通信器件。
稀缺程度：高度紧缺，无独立矿床，从氧化铝冶炼废渣提取；普通工业镓产出充足，但 7N 以上超高纯半导体级产能有限，国内实施出口管制，供给弹性极低。
核心公司：有研新材，中国铝业，南大光电，云南锗业，中金岭南。