中国装备又在国际存储市场投下一颗重磅消息，中微公司表示，其具备90:1超高深宽比能力的刻蚀设备已交付客户进行验证，成为长江存储下一代高层数NAND的重要设备条件。此外，中微进入先进封装，并不只是为了传统封装业务，真正对应的是HBM和三维存储，过去长鑫即使能够制造DRAM晶粒，也可能受制于HBM堆叠和封装设备。中微把产品延伸至先进封装，相当于在补齐国产HBM制造链中设备价值最高、验证周期最长的一段。[嘻嘻]
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