【清华课题组合作在自旋电子器件高效自旋电流产生机制研究中取得进展】
自旋电子器件通过利用电子的自旋自由度实现信息操作，被认为是后摩尔时代低功耗存储与计算的重要技术方向之一。理想的自旋源材料既需要具备高效电荷—自旋转换能力，又需要具有高电导率。然而，这两个要求往往难以同时满足。如何突破电荷—自旋转换效率与电阻损耗之间的权衡，是自旋轨道磁随机存储器（SOT-MRAM）等新型自旋电子器件走向应用的关键问题。

近日，清华大学集成电路学院南天翔副教授课题组联合清华大学材料学院易迪副教授团队、中国科学院合肥物质科学研究院朱雪斌教授团队等，在极性金属自旋电流产生机制研究中取得重要进展。研究团队在金属型二氧化铂钴（PtCoO2）薄膜中发现，局域极性纳米区能够在保持材料高导电性的同时显著增强电荷—自旋转换效率，为低功耗自旋电子器件提供了新的材料设计思路。研究成果以《金属型PtCoO2中极性纳米区诱导的大自旋霍尔电导率》（Polar Nano-Regions Enable Large Spin Hall Conductivity in Metallic PtCoO₂）为题，于6月12日发表于《自然·材料》（Nature Materials）。论文链接：http://t.cn/AXowBtuV（来源：集成电路学院）#科研速递# #清华大学[超话]#