【半导体板块轮动反弹，存储芯片领涨AI需求持续外溢】

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9月4日至5日，半导体板块迎来强势反弹。

SK海力士ADR大涨8.14%报177美元，时隔两周重回170美元上方；台积电涨2.76%报428.52美元；费城半导体指数ETF涨3.36%报92.40美元。

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本轮反弹以存储芯片为主线，

费城半导体指数30只成分股中29只上涨，美光科技飙升近5%，英特尔和ASML涨约4%，闪迪涨约7%。市场分析指出，存储价格持续超预期，NAND涨幅最大且加速上涨，AI服务器需求扩张可能导致存储供应短缺和价格上涨。

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近期有头部AI芯片公司财报显示

其AI芯片营收同比增超两倍，环比增超五成，并将未来数年营收指引大幅上调，验证了英伟达生态系统之外AI芯片需求的爆发，三星和SK海力士有望受益于HBM需求的多元化。

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机构观点认为，

两大存储巨头自高点回调约37%，以2027年预期市盈率计估值仅约3倍，存在估值洼地。同时，全球存储月产能需扩至当前两倍才能满足需求，供需缺口料持续至2028年，景气周期明确。

不过，近期资金高低切换、轮动加快，二季度半导体板块净利率达38.8%，同比提高30.6个百分点，基本面支撑扎实，但短期追涨需谨慎。

#存储芯片 #SK海力士 #台积电