Samsung Electronics 在 2026 年 9 月 1 日举行的 “Semicon Taiwan 2026” 论坛上，正式发布了旨在突破 AI 内存技术瓶颈的下一代核心战略——“CUBE”。

该战略主要围绕 3D 垂直堆叠技术，旨在解决传统 2D 平面布局在容量、带宽与功耗上的局限。

1. “CUBE” 战略四大核心柱

Capacity（容量）： 摆脱以往在 PCB 板上水平扩展芯片的限制，转向垂直堆叠，在不增加基板面积的前提下实现内存容量的突破。

Utilization（优化）： 不仅是简单的物理堆叠，更在于优化各层逻辑电路与内存单元的布局，以彻底消除数据处理延迟。

Bandwidth（带宽）： 显著缩短 Die（晶圆裸片）之间的物理距离，构建“垂直高速公路”，大幅提升数据传输带宽。

Efficiency（效率）： 降低单比特（bit）数据传输所需的能量，提高结构效率，实现每瓦性能的最大化。

2. 下一代 AI 内存产品与路线图

HBM5： 目标比 HBM4E 性能提升 2 倍，每瓦性能提升 20%，热阻降低 20%。

zHBM： 目标比 HBM5 性能提升 8 倍，每瓦性能提升 3 倍，热阻降低 75%~90%。

zNAND-O： 位密度达 DRAM 的 10 倍，专为大语言模型（LLM）的高容量需求设计；读取带宽与能效均比传统 NAND 提升 7 倍，计划于 2028 年开始提供样品。

3. 市场份额与产能背景

DRAM 市场： 2026 年第二季度，Samsung Electronics 以 39% 的营收份额稳居全球 DRAM 市场第一（SK Hynix 占 26%，Micron 占 25%）。

NAND Flash 市场： 同期 NAND 营收达 230.6 亿美元（环比增长 70.7%），以 29.3% 的市场份额继续保持全球第一。