【美国对华存储禁令自己先怂了!低温刻蚀条款被悄然删除 长鑫表示影响不大】美国修订拟议中的MATCH Act法案时,悄然删除针对中国的低温刻蚀设备全国性禁令,长鑫存储等中国半导体企业表现淡定。当前长鑫存储DRAM全球市占升至7.6%位列第四,长江存储232层3D NAND稳定量产,性能追平国际头部。
发布于 北京
【美国对华存储禁令自己先怂了!低温刻蚀条款被悄然删除 长鑫表示影响不大】美国修订拟议中的MATCH Act法案时,悄然删除针对中国的低温刻蚀设备全国性禁令,长鑫存储等中国半导体企业表现淡定。当前长鑫存储DRAM全球市占升至7.6%位列第四,长江存储232层3D NAND稳定量产,性能追平国际头部。