Al算力基础设施策略(短线事件驱动+中线趋势) 核心标的:戴尔科技(DELL)、英伟达(NVDA)、博 通(AVGO)、超威半导体(AMD)、 CoreWeave(CRWV)、迈威尔科技(MRVL)、维谛技 术(VRT) 驱动催化 1.Al服务器景气度财报验证:上游服务器厂商发布 超预期财报，验证Al硬件供不应求格局，戴尔作为 头部AI服务器厂商,Al服务器积压订单达144亿美 元，直接受益于算力建设刚需。 2.云厂商资本开支落地:微软、Meta等头部云厂商 Q2财报超预期,Al资本开支持续加码，合计贡献英 伟达超40%的收入，需求向上游芯片、服务器整机 传导。 3.短期事件溢价:戴尔具备政策站台事件催化，短 期情绪加成显著。 戴尔约420美元附近低吸；英伟达回踩200美元
半导体设备/材料策略(中线产业趋势+国产替代) 核心标的:阿斯麦(ASML)、应用材料(AMAT)、科 磊(KLAC)、拉姆研究(LRCX)、盛美半导体 (ACMR)、MKS仪器、英特格、泰瑞达 驱动催化 1.晶圆厂扩产传导上游:台积电上调全年资本开支 至600-640亿美元,AI带动的晶圆产能扩张直接拉 动前道设备、材料需求，设备是半导体扩产的"卖 铲人",业绩确定性最强。 2先进封装设备爆发:CoWoS、HBM封装产能持续 紧张，带动后道封装设备、电镀设备需求，具备先 进封装设备能力的厂商弹性最大。 龙头 阿斯麦 应用材料
储芯片周期策略 核心标的:美光科技(MU)、西部数据(WDC)、希捷 科技(STX)、SK海力士(SKHY)、闪迪(SNDK) 驱动催化 1.Al重构供需格局:Al服务器DRAM需求量是传统 服务器的8-10倍，高端HBM全年产能缺口达 50%-60%,头部厂商订单排至2027年，行业从 "消费电子周期"转向"Al长周期",景气持续时间远 超以往存储周期。 2.价格持续上行:DRAM、NAND价格自2025年 Q3开启上涨通道，合约价连续多个季度环比大涨, 厂商盈利拐点明确,2026年净利润将大幅释放。 3.供给端主动收缩:三星、SK海力士、美光纷纷将 产能向HBM、DDR5转移，削减成熟制程产能，供 需紧张格局预计延续至2028年。 核心标的:美光科技(HBM技术领先、产能充足)、 西部数据 入场(美光850美元、西部数据500美元)附近
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