电流密度差六个数量级|局部峰值电流密度|顶尖cmos晶体管|cmos晶体管|电流密度

AI和人

26-07-04 21:19 微博认证：科学科普博主

局部峰值电流密度能飙到每平方厘米一万亿安培。作为对比，当今顶尖CMOS晶体管沟道里的电流密度，不过百万安培级别。六个数量级的差距。

发布于上海