#价值投资日志[超话]# 【存储及配套测试设备主线:HBM打开全新成长曲线】
东吴证券认为,AI算力催生HBM大规模需求,带动存储芯片、存储测试设备双向景气,叠加消费电子大容量存储渗透,行业中长期成长确定性充足。
1、存储芯片量价持续上行
自2024年底起DRAM、NAND现货价格大幅上涨,DDR4涨幅超17倍。HBM凭借高带宽、低延迟特性成为AI服务器核心器件,海外SK海力士、三星、美光持续加码HBM产能;国内“两存”稳步扩产,产能利用率长期维持90%以上,逐步在终端消费电子实现国产化导入。
2、HBM大幅抬升测试设备需求
HBM采用多层TSV堆叠架构,新增KGSD核心测试环节,测试道数由传统DRAM3-4道提升至15道以上,设备需求为普通DRAM的5至6倍,对设备并行度、时序精度、供电能力提出更高标准。
3、测试设备国产替代空间巨大
全球存储测试机市场由爱德万、泰瑞垄断,国内整体国产化率仅8%-10%,属于半导体设备核心短板。目前国内企业持续推进机型研发,国内存储产能扩张将加速本土设备导入进程。
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