半导体/存储产业链

1. 价格与供需。 TrendForce预计Q3 DRAM合约价季增13%-18%，NAND Flash季增10%-15%，涨幅较前季收敛，主因消费端需求放缓、价格已达历史高位，但AI服务器与数据中心需求仍是核心支撑。北京君正确认当前所有产能紧张，DRAM持续涨价，预计Q2至Q4逐季上调价格。

2. 产能与制程。 三星4nm产能基本售罄且明年产能已订完，部分8nm满载并开始选择性接单，先进制程需求结构从手机AP转向AI加速器、ASIC及HPC芯片。三星电机计划至2040年在釜山投资15万亿韩元建设AI数据中心封装基板与MLCC基地。三星、SK海力士在最新价格谈判中要求载板厂降价，试图撤回今年Q1约3%-4%的涨幅，产业链利润分配博弈加剧。

3. 技术与情绪。 铠侠第十代BiCS FLASH 3D闪存开始送样，聚焦高性能、大容量、低功耗。飞凯材料表示产品可用于HBM制造工艺，但尚未形成规模化营收。大空头迈克尔·伯里宣布做空美光，认为AI相关芯片股面临30%回调，估值与技术形态均处历史极端水平。