比攀升，存储周期业绩兑现进入快车道
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7 月 2 日，北京君正发布最新投资者关系活动记录表，详细披露公司各存储产品线涨价落地进度、业绩盈利预期，明确本轮存储涨价周期下，公司二季度、三季度乃至四季度盈利能力将持续修复，毛利率逐季环比上行，存储芯片行业量价齐升红利正在全面兑现。
一、三大存储产品线涨价落地节奏全梳理
1、DRAM：本轮涨价幅度最大，海内外客户分批调价，业绩弹性最强
本轮 DRAM 是公司涨价力度最强的产品线，调价分阶段落地：
一季度率先完成国内客户报价上调；
二季度国内客户继续执行涨价新政，同时海外客户集中启动价格调整，直接带动二季度营收、毛利率同步大幅增长；
公司明确三季度将继续上调 DRAM 产品售价；即便四季度调价政策尚未最终敲定，但当前行业供给持续紧张，四季度依然存在再次涨价的较大可能性。
下游端，不少客户选择用 SRAM 方案替代紧缺 DRAM，供需偏紧带动部分 SRAM 产品在二季度同步上调价格，进一步拓宽公司盈利增长空间。目前车规、工业级 DRAM 客户对涨价接受度较高，相比小幅成本上浮，下游企业更在意稳定的芯片供货，公司现阶段对 DRAM 产品采取分货模式，订单排期饱满。
2、NOR Flash：连续两季度涨价，销量驱动收入高增
NOR Flash 在今年一季度、二季度连续涨价，整体涨幅低于 DRAM；行业虽然同样出现产能收紧，但供需紧张程度弱于 DRAM。一季度公司 Flash 业务收入大幅增长，核心驱动力来自下游终端需求放量、产品出货量提升，叠加温和涨价形成量价共振。三季度 NOR Flash 不会全品类统一调价，将根据不同产品、不同客户单独核定报价，高端车规、物联网类产品仍具备调价空间。
二、核心投资亮点：毛利率逐季上行，业绩持续兑现
公司明确核心利好：依托全品类存储芯片持续涨价的行业红利，未来多个季度公司毛利率将保持环比增长趋势。
一季度公司存储业务毛利率已经显著修复，随着海内外涨价政策持续落地、高单价订单逐步确认收入，二季度盈利能力将再上台阶，三季度涨价落地后毛利率有望继续创新高。
从产品结构来看，DDR4、LPDDR4 高端 DRAM 产品收入占比已经超越老旧 DDR3 产品，高端高毛利产品占比持续提升，进一步增厚整体盈利水平，公司 20nm、16nm 先进制程 DRAM 持续量产，持续切入 AI 终端、车载等高景气下游场景。
三、行业景气底层逻辑
供给端刚性收缩：全球晶圆厂优先将产能倾斜给 HBM、服务器高端算力存储，利基型 DRAM、NOR Flash 代工产能持续收紧，原厂控产保价下，现货、合约价格持续走高；
下游多点需求爆发：车载电子、工业控制、安防监控、端侧 AI 硬件、物联网设备需求全面回暖，车规级存储认证壁垒高、客户粘性强，本轮涨价周期持续性有望延续至 2027 年；
国产替代加速：海外存储大厂交付周期拉长，国内工控、车企、安防厂商加速切换国产存储方案，公司车规级 SRAM、DRAM 全球市占率稳居前列，深度绑定特斯拉、比亚迪、大众等头部客户，充分承接国产替代订单红利。
四、核心投资逻辑总结
当前存储板块已经从前期的涨价预期炒作正式迈入业绩兑现阶段，北京君正作为利基存储龙头，海内外客户分批涨价落地、高端产品结构优化双重加持，盈利向上确定性极强。在本轮半导体高低风格切换行情下，存储板块业绩高增的确定性具备极强的避险配置价值，既受益周期涨价红利，又绑定车载、AI 高成长赛道。
客观风险提示：若后续晶圆代工产能集中释放、下游消费端需求疲软，存储芯片涨价周期可能提前结束；海外竞品降价也会压缩国内厂商调价空间，需持续跟踪存储现货价格、公司订单稼动率理性布局。