摩根大通判定本轮存储超级周期更高、更长

一、核心结论（2026年6月摩根大通全球存储深度研报）

1. 周期定性重构
告别过往3-4年短牛短熊传统周期，行业进入5年以上超长上行超级周期；存储不再是强周期大宗商品，升级为AI基建核心战略资产，估值体系需要重估。
2. 市场空间大幅上调
将2026-2028年存储整体TAM较前期模型上调37%~53%，2028年全球存储市场规模可达1.7万亿美元。
- DRAM：2025年1430亿美元→2028年1.237万亿美元
- NAND闪存：2025年710亿美元→2028年4545亿美元
3. 高度：需求增量远超历史
本轮景气上涨幅度、行业营收增速、单品涨价空间全面超越历史周期，核心驱动从手机/PC消费电子切换至AI全链路算力、推理需求。

二、三大核心驱动逻辑

1. AI需求全面扩散，CPU成为新增核心催化剂

此前市场仅聚焦GPU+HBM，机构判断下一阶段AI推理、通用算力CPU打开海量存储增量：

- 大模型上下文扩容、海量训练数据、云端推理集群同步拉动DRAM与企业级SSD（eSSD）；
- 云厂商资本开支中存储占比突破50%，长周期锁货协议（LTA）锁定未来3-5年高端产能。

2. 细分赛道供需持续刚性紧缺

- HBM：供需缺口延续至2028年，英伟达、云厂商提前买断产能，单设备HBM搭载量持续翻倍；原厂优先倾斜先进晶圆至HBM产线，挤压普通消费级存储供给。
- DRAM服务器端：DDR5价格连续季度暴涨，2026上半年现货涨幅翻倍，原厂控产保价意愿极强。
- NAND企业级SSD：AI推理数据存储刚需爆发，NAND在AI领域2024-2027年复合增速108%，高于DRAM的91%。

3. 供给端扩产约束拉长景气周期

新建存储晶圆厂周期2-3年，HBM配套封装设备交付排期至2028年；三星、SK海力士、美光主动削减低端消费存储产能，行业不再出现历史上盲目扩产、价格崩盘循环，供给长期偏紧。

三、行情与验证主线

1. 价格走势：2026年Q1、Q2存储合约价创历史级涨幅，Q3涨幅虽边际收窄，但上涨趋势不改；
2. 跟踪三大验证指标：云厂商资本开支指引、长期供货协议LTA落地节奏、原厂产能调配比例，下半年为长协集中落地窗口，将驱动板块新一轮估值上行。

四、机构持仓与评级

维持存储板块超配，重点看好三星电子、SK海力士、美光等具备HBM高端产能的海外原厂；逻辑同步传导至国内存储设计、封测、模组企业。

五、潜在风险提示

1. AI资本开支不及预期、云厂商下调算力投入；
2. 原厂激进扩产打破供给平衡；
3. 消费电子终端需求持续疲软拖累通用存储价格。