【三星HBM4E良率突破70%，第七代AI内存开发进入稳定阶段】

6月30日，三星电子首席技术官兼半导体研究所所长在DS（器件解决方案）部门内部经营说明会上表示，HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。

业界通常将80%以上视为工艺稳定的"成熟良率"门槛，而HBM4E目前仍处于可靠性测试阶段，70%以上的水平被认为标志着开发进程正式进入稳定区间。#人工智能#

与此同时，他在同一场合透露，下一代10纳米级第七代DRAM工艺（D1d）在技术竞争力上已取得对竞争对手的优势，并计划于今年11月完成生产准备认证（PRA）。

此前，三星已向主要客户交付了业界首批12层48GB HBM4E样品。据三星介绍，作为HBM4的迭代升级产品，12层HBM4E采用第六代10纳米级DRAM工艺（1c）及三星晶圆代工的4nm逻辑基片，在性能、容量、能效与散热方面均实现显著提升，主要面向大模型、生成式AI及高性能计算等场景。

与HBM4相比，HBM4E可提供稳定的14 Gbps引脚传输速度，并可扩展至16 Gbps，以满足日益增长的数据处理需求。整体性能提升超过20%，每个堆栈的内存带宽高达3.6 TB/s，有助于最大化大模型及下一代AI系统的计算潜力。