Roundhill Memory ETF（代码 DRAM）是全球唯一纯 AI 存储芯片主题 ETF，成立于 2026 年 4 月，聚焦 DRAM、NAND、HBM、服务器内存全产业链，2026 年 6 月正式调仓纳入兆易创新（603986），为唯一入选中国大陆存储设计企业，持仓权重约 2.91%~3.21%，入选硬性门槛要求，50% 以上营收来自存储业务，机构认可兆易 DRAM 业务具备长期 AI 存储成长逻辑，不再仅将其视作 NOR Flash 厂商。自研 WoW 晶圆堆叠工艺，8 层 3D DRAM 送样验证，适配 AIPC、车载 AI、人形机器人、边缘 NPU；与高通联合研发手机端 AI 配套存储，避开云端 HBM 正面内卷，抢占边缘 AI 存储细分蓝海，2026 年底至 2027 年批量商用。2026 年 DRAM 代工采购预算57.11 亿元，是 2025 年 11.8 亿采购额近 5 倍，产能放量，支撑 DRAM 营收。#DRAM#兆易创新#存储芯片