【三星HBM4E良率突破70%大关】据相关媒体报道，三星首席技术官在近日举行的DS（器件解决方案）部门内部经营说明会上透露，其下一代高带宽存储器HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。业界通常将80%以上视为工艺成熟的“稳定良率”门槛，而HBM4E目前仍处于可靠性测试阶段，70%以上的水平被认为标志着开发进程已正式进入稳定区间。该首席技术官还表示，三星在下一代10纳米级第七代DRAM工艺（D1d）上已取得相较于竞争对手的技术优势，并计划于今年11月完成生产准备认证（PRA）。
此前，三星已向主要客户交付了业界首批12层48GB HBM4E样品。据三星介绍，作为HBM4的迭代升级产品，12层HBM4E采用第六代10纳米级DRAM工艺（1c）及三星晶圆代工的4nm逻辑基片，在性能、容量、能效与散热方面均实现显著提升，主要面向大模型、生成式AI及高性能计算等场景。