#国产存储企业重要突破#BS
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近日长江存储实现200层以上3D NAND量产，长鑫存储攻克DDR5与HBM技术，国产芯片加速替代海外产品并打入品牌供应链，标志着我国半导体自主化迈出关键一步——国产存储企业重要突破。
发布于 福建
西柚0籽籽
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近日长江存储实现200层以上3D NAND量产，长鑫存储攻克DDR5与HBM技术，国产芯片加速替代海外产品并打入品牌供应链，标志着我国半导体自主化迈出关键一步——国产存储企业重要突破。