高盛6月DRAM调查：大幅上调2027年HBM价格预测

高盛6月26日发布的月度调查数据显示，DRAM现货价格出现急剧上涨。自5月1日以来，DDR5现货价格已攀升20%，目前较5月合同价溢价25%。与此同时，DDR4现货价格上涨11%，溢价幅度更为陡峭，达到45%。由于现货市场增速显著超过合同价，这些大幅溢价强烈预示着即将到来的合同价格将被上调。

与此同时，分析师大幅上调了2027年高带宽存储（HBM）的价格增长预测，从最初估计的同比+14%提升至+44%。这一重大修正直接影响三星电子，因为标准DRAM现货市场持续的价格飙升正对明年的HBM合同谈判产生重大影响。此外，由于标准DRAM价格上涨过快，巨大的盈利差距已经形成。存储厂商正利用这一强劲的现货表现作为合同谈判中的筹码，以确保HBM定价相应上调。

最值得注意的是，高盛强调市场尚未充分计入这些潜在的上行风险。简而言之，+44%的增长预测并非上限——随着形势演变，最终价格可能攀升得更高。

"考虑到HBM紧张的供需平衡，以及传统DRAM与HBM之间持续扩大的价差，我们认为我们的预测仍存在额外的上行风险。"

展望未来，高盛预计三星DRAM的平均售价（ASP）在2026年第二季度将环比大幅增长46%。然而，他们指出这一ASP增长的二阶导数约为-48个百分点。这一负的二阶导数表明，虽然存储价格仍在上涨，但其上涨速度正在放缓。这种转变通常意味着激进的价格动能开始趋于平稳。