【国内首个第四代半导体全产业链项目落户郑州】
6月26日，郑州高新区与中科粉研（河南）超硬材料有限公司签署协议，中科粉研第四代半导体材料生产基地正式落户该区。该项目总投资15亿元，是国内首个第四代半导体材料全产业链项目，预计三年内年产值达30亿元。第四代半导体的核心特征是禁带宽度大于3.4eV，远高于硅（1.12eV）、碳化硅（3.25eV）、氮化镓（3.4eV）等前三代半导体材料，优异的物理化学特性使其能够适配大量极端应用场景。第四代半导体的主要代表有氧化镓、金刚石、氮化铝等。其中，金刚石的禁带宽度高达5.45eV，是硅的近3倍，稳定性和可靠性极高；室温下热导率达2200W/（m∙K），是硅的13倍，能极大提升芯片散热效率，保障电子设备性能稳定；击穿电场强度超过10MV/cm，在高功率、高频率器件应用中优势明显，是综合性能最优的理想材料之一。【何为“第四代半导体”？】http://t.cn/AXoPCR4J