【东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提升AI数据中心的效率】东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。http://t.cn/AXov5KGY #张国斌的芯发布#
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