【1000 万亿韩元的半导体超级计划】

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继此前三星传出 4 万亿韩元芯片扩产消息后，

6 月 29 日韩国正式落地国家级重磅方案，总统李在明推出三大超级项目，抛出规模 800~1000 万亿韩元（约 5180 亿美元） 超长周期 AI + 半导体超级投资规划，将半导体、物理 AI、AI 数据中心上升至国家生存战略级别。

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核心落地细节

产能扩张硬核目标

资金核心投向韩国西南部，落地四座高端晶圆厂，三星电子、SK 海力士各自承建两座；规划五年时间实现全球 DRAM 产能翻倍，巩固自身在存储芯片领域绝对龙头地位。额外规划未来 15 年，在新一代存储、边缘 AI、军工特种芯片赛道追加至少 30 万亿韩元研发投入，布局下一代技术壁垒。

两大财阀配套巨额跟进

三星集团本土总投资 2655 万亿韩元，其中超 2000 万亿韩元集中投建半导体产业集群；SK 集团整体拿出 2100 万亿韩元全面布局 AI 算力与半导体上下游，政企绑定深度绑定扩产节奏。

政府全方位兜底扶持

韩国政府直接配套土地供给、水电能源保障、行政审批极速简化、专项人才补贴与引进政策，解决建厂最核心配套瓶颈，降低两大存储巨头扩产阻力，集中资源对抗全球芯片竞争格局。

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行业背景解读

当前全球 AI 浪潮带动 HBM、高端 DRAM 刚需持续爆发，AI 服务器存储需求长期供不应求，存储周期进入上行复苏通道。此前美光、三星、海力士已逐步收紧减产策略、启动温和扩产。

韩国此次举国式砸钱扩产并非短期跟风炒作：

一方面想要进一步锁死全球 DRAM 市场定价权（两家企业合计占据全球超 7 成 DRAM 份额），挤压国内存储厂商追赶空间；

另一方面依靠产能规模优势匹配 AI 长期算力需求，绑定海外云厂商长期订单，抢占 HBM 高端存储先发优势。

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市场后续影响

短期会强化全球半导体、存储板块情绪催化，中长期加剧存储产能远期供需博弈；后续需持续跟踪扩产落地进度、全球存储价格走势、国内存储自主应对政策动向。

#存储芯片 #三星 #SK 海力士