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#全球顶流存储 ETF 首次纳入 A 股标的，兆易创新获海外长线资金重磅背书
一、核心事件概况
财联社 6 月 29 日消息，全球首只主动管理型内存主题 ETF——Roundhill Memory ETF（代码 DRAM）完成季度调仓，首次将 A 股存储龙头兆易创新纳入持仓组合，持仓权重 2.91%，位列第八大重仓股，也是该 ETF 成立以来纳入的唯一一只 A 股上市公司。
这只 ETF 今年 4 月才在美股上市，专注布局全球 DRAM、NAND、NOR 等存储芯片赛道，上市两个多月资金净流入超 180 亿美元，是今年全美吸金能力最强的新发 ETF 之一，精准押注 AI 算力带来的存储超级周期红利。本次调仓中，基金适度减持涨幅过高的三星、美光、SK 海力士三大海外存储巨头，增配国产存储二线优质标的，兆易创新、旺宏电子、群联电子同步新进持仓。
二、本次纳入的核心底层逻辑
国内存储两大核心平台尚未上市，兆易创新成为外资布局国产存储唯一 A 股窗口
长鑫存储、长江存储暂未登陆资本市场，海外资金想要把握国内存储产能崛起、国产替代的产业红利，只能通过兆易创新布局。公司依托长鑫成熟制程产能，深耕 NOR Flash、利基型 DRAM 两大赛道，深度受益传统存储全球缺货涨价周期，产品广泛应用于 AI 服务器、汽车电子、工控等领域，业绩向上弹性获得海外机构一致认可。
全球存储供需格局重构，国产厂商行业话语权持续提升
三星、美光持续收缩成熟存储产能，集中资源投向 HBM 高端存储，DDR4、NOR、SLC NAND 等利基存储供需持续紧张，行业迎来多轮涨价。兆易创新承接大量海外厂商让出的市场份额，产销规模稳步扩张，正式进入全球存储产业主流配置视野。
被动资金带来中长期稳定买盘支撑
该 ETF 规模仍在持续快速扩张，每当有新增资金申购，就会按照固定权重被动买入兆易创新，叠加此前公司纳入富时中国 A50 指数，双重外资配置渠道打开，长线增量资金持续进场，也是当日个股放量大涨、成交额创出 432 亿历史天量的重要催化因素。
三、事件背后的三大产业信号
第一，国产存储正式纳入全球主流资本估值体系。过去海外资金配置存储赛道仅聚焦海外三大巨头，本次纳入意味着国际机构认可国内存储企业的产业竞争力，国产存储龙头估值有望迎来系统性重塑。
第二，硅基通胀主线持续得到全球资金验证。AI 算力带动存储芯片量价齐升的行业逻辑，不仅被国内资金认可，也成为海外长线资金核心布局方向，存储板块中长期景气逻辑进一步加固。
第三，半导体国产替代进入全球化配置阶段，具备技术、产能、客户壁垒的硬核科技龙头，会持续迎来外资加仓机会，纯题材概念股将不断被资金边缘化。
四、产业链投资方向梳理
存储芯片国产龙头：优先布局绑定国内成熟晶圆产能、深度受益存储涨价周期、具备海外客户认证的存储设计企业，持续享受外资配置 + 行业量价齐升双重红利。
存储上游晶圆代工、半导体材料赛道：存储行业扩产、涨价带动上游成熟制程产能、电子化学品、特种材料需求稳步释放，产业链上游龙头业绩确定性较强。
算力硬件配套存储应用赛道：AI 服务器、工控、汽车电子带动 NOR、利基 DRAM 需求持续扩容，下游高景气场景持续打开存储行业成长天花板。
五、风险提示
全球云厂商 AI 资本开支不及预期；存储大厂重启成熟制程扩产导致供需格局反转；板块短期涨幅较大存在估值回调压力；海外流动性收紧压制成长股估值。
信息来源：财联社、上证报、Roundhill ETF 持仓公告、券商产业链调研，本文仅为行业资讯客观梳理，不构成任何投资建议，股市有风险，入市需谨慎。