陈立武（英特尔CEO）反复强调、公认最有长期投资价值的三大化合物半导体材料（全网讨论最多的“三个赛道”）

1. 磷化铟 InP（光互连核心，对应你聊的光模块上游）

核心定位：高速EML光芯片唯一衬底材料，800G/1.6T/CPO共封装刚需

解决AI算力集群带宽瓶颈，光模块只是下游组装，真正高壁垒、高毛利环节是InP衬底+外延+光芯片；
1.6T磷化铟用量是800G的3倍，未来CPO架构用量再翻数倍，需求长期指数级增长；

2. 碳化硅 SiC（高压+散热双逻辑）

两大增长曲线：
1）新能源车800V高压逆变器、光伏储能；
2）AI服务器高压电源、高端芯片散热基板，解决算力设备高热难题
宽禁带材料耐高压、导热强，硅基材料无法替代，中长期供给持续偏紧。

3. 氮化镓 GaN（高频高效电源）

主打AI数据中心高压直流供电、边缘AI、5G射频、快充
英伟达800V机柜架构全面切换GaN电源，是算力基建的硬性刚需，功耗优化价值突出。

后摩尔时代三大技术主线则是：

1. EMIB先进封装/Chiplet芯粒集成
2. 玻璃基板（替代有机基板）
3. 人造金刚石（极致散热）

“陈立武三个有投资价值”，指InP磷化铟、SiC碳化硅、GaN氮化镓三大化合物半导体；三者全是上游原材料/芯片