【#存储三巨头被告了##三星等存储巨头再遭集体诉讼#】三星、SK海力士和美光三大DRAM巨头近日在美被提起集体诉讼，指控其以HBM转型为掩护，协同削减传统内存产能，人为制造供应短缺，导致DRAM价格四年暴涨约700%。诉讼指出，HBM芯片面积约为DDR的两倍，每生产一颗HBM就要消耗双倍晶圆。2026年HBM预计占全球DRAM产能约25%，但传统DRAM产能增长远跟不上总产能扩张，这一“剪刀差”直接挤压消费级内存供应。原告认为，三巨头本可同步扩产，却选择将产能集中转向利润更高的HBM，形成事实上的协同减产。诉讼还翻出旧账：2005年三星、SK海力士等就因价格操纵被美国司法部处罚，总罚金达7.31亿美元，多名高管入狱。原告直指，如今不过是将同样手法换上了“HBM转型”的新包装。苹果近期全面上调iPad和Mac售价，被列为价格传导的典型案例。这场诉讼能否打破三巨头的产能分配节奏、重塑存储市场供需格局，仍有待观察。