VLSI 2026 的 CMOS Image Sensor 论文，包含了三星的革命性双层像素设计、LYT-L910 的解析、LOFIC 的 Image Lag 问题改善、RGB RS-IR GS 像素混合设计：

C6.2 A 50M pixels 1.22μm Pitch Pixel Image Sensor with 100dB Single Exposure Dynamic Range by Triple Conversion Gain and LOFIC
Sony Semiconductor Solutions Corporation, Sony Semiconductor Manufacturing Corporation
C6.2 采用三重转换增益和LOFIC技术、具备100dB单次曝光动态范围的5000万像素、1.22μm像素间距图像传感器 （LYTIA-L910 IMX09C 实体论文）
索尼半导体解决方案公司、索尼半导体制造公司
本文介绍了一款全球最小像素间距为1.22 μm、5000万像素的三重转换增益图像传感器，其读出噪声低至0.73 erms，全井容量高达250 ke-，单次曝光动态范围达100 dB。为实现这一目标，本文引入了一种新的像素架构，该架构集成了传输栅型LOFIC，并将复位极与源极跟随器漏极分离。

T5.5 A 2.1-μm Pixel-Pitch CMOS Image Sensor with 65% MTF/35% QE IR Global Shutter and RGB Rolling Shutter Sequential Operation for In-cabin Applications
Sony Semiconductor Solutions Corporation, Sony Semiconductor Manufacturing Corporation
T5.5 一种像素间距为2.1 μm的CMOS图像传感器，具备65% MTF/35% QE的红外全局快门和RGB滚动快门顺序工作模式，适用于车内应用
索尼半导体解决方案公司，索尼半导体制造公司
在本研究中，我们提出了一种用于车内应用的 2.1 μm RGB-IR CMOS 图像传感器，该传感器顺序结合了滚动快门 (RS) 和全局快门 (GS) 模式。作为RGB传感器，它在Tj=85 °C时可实现112 dB的动态范围（DR），从而能够提供高质量的可见光成像。对于红外传感器，我们实现了65%的调制传递函数（MTF）和35%的红外量子效率（IR-QE）这一业界领先的性能，从而便于在红外照明下进行视线检测。

T19.1 A Single Exposure 137 dB Dynamic Range CMOS Image Sensor with Low Dielectric Absorption Image Lag
Sony Semiconductor Solutions Corporation, Sony Semiconductor Manufacturing Corporation
T19.1 具有低介电吸收图像延迟的单次曝光137 dB动态范围CMOS图像传感器
索尼半导体解决方案公司、索尼半导体制造公司
本文介绍了一款像素间距为 3.0 μm、分辨率为 2897×1877 的 CMOS 图像传感器。该传感器在 85 °C 时可实现 137 dB 的单次曝光动态范围 (SEDR)，在 105 °C 时可实现 28 dB 的结信噪比 (SNR)。该传感器采用基于3D-MIM技术的子像素架构，并具备降低介电吸收图像延迟的功能。高动态范围与降低的介电吸收图像延迟相结合，使该传感器非常适合汽车应用。

T19.2 A fully-buried transfer gate and polysilicon wire: Noise enhancement technology for CMOS image sensors with 2-layer pixels
Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co., Ltd.
T19.2 全埋式传输栅与多晶硅线：适用于双层像素CMOS图像传感器的噪声抑制技术
三星电子有限公司半导体研发中心
本文提出了一种全埋式传输栅与多晶硅线（FBP）结构，该结构显著提升了双层像素CMOS图像传感器的噪声性能。FBP 将所有由多晶硅制成的器件转换为全埋式结构，并利用埋入式多晶硅线连接多个浮栅扩散节点，从而在减少工艺步骤的同时改善了随机噪声。与传统方案相比，转换增益（CG）提高了33%以上。