国际知名市场研究机构Yole Group预测，2026年全球磷化铟（InP）需求飙升至260万至300 万片，有效产能仅提升至75万片左右，供需缺口超70%，其中80%以上的需求都来自AI数据中心，光模块需求加速扩张促进上游磷化铟材料需求激增。此外，英伟达也曾表示，2026年-2030年磷化铟晶圆需求将激增约20倍，进一步佐证了“磷化铟”在未来几年市场需求的确定性。全球光模块龙头Lumentum也已推进约40%的磷化铟扩产计划，并预测到2030年，AI数据中心对磷化铟的需求年复合增长率将达到85%。
磷化铟凭借4倍于硅的电子迁移率和直接带隙特性，成为高速光芯片不可替代的部件。同时供给端面临寡头格局且扩产慢，由此，磷化铟成为了AI产业链的战略稀缺资源。全球90%以上高端磷化铟衬底产能由日本住友电工、美国 AXT（北京通美）、日本JX金属，三家合计占据全球91%的垄断份额；国内厂商当前产能占比不足10%，大尺寸6英寸磷化铟衬底几乎完全依赖进口，因此，国产替代空间广阔。
1、云南锗业公司2025年底磷化铟晶片（衬底）产能为15万片/年（2-4英寸）。今年4月开始投建高品质磷化铟单晶片建设项目，计划在现有产能基础上扩建一条年产30万片（折合4英寸计算，其中包括6000片6英寸）高品质磷化铟单晶片生产线，最终达到年产45万片（折合4英寸）高品质磷化铟单晶片的产能。华为哈勃参股，国内衬底市占率超80%。2、三安光电公司作为国内化合物半导体领域产销规模首位、具备垂直产业链布局的企业，LED芯片全球龙头。公司磷化铟外延生长、芯片制造及封测工艺国内领先，已具备量产6吋InP光芯片的工艺能力，未来将结合市场、客户情况推动InP光芯片向大尺寸发展。当前产能2750片/月，已将核心工艺环节外延扩产至近6000片/月。
3、锡业股份全球原生铟资源龙头，自有大型伴生铟矿山，铟储量国内领/2025年铟锭销量105吨。自主掌握7N半导体级高纯铟提纯工艺，8N超高纯铟中试推进，粗铟自给率100%，长期直供国内磷化铟衬底厂商，矿产冶炼提纯一体化，原料供给壁垒突出。4、豫光金铅公司泛半导体高纯金属材料项目推进顺利，已成功制备出7N级高纯铟、7N级高纯碲、7N级高纯锌等产品；其中，7N级高纯铟、7N级高纯碲、7N级高纯镉等产品正与多家下游客户开展试用及商务洽谈。
5、欧莱新材公司铟主要有ITO靶材和磷化铟两方面用途布局。子公司欧莱铟依托韶关市铟产业集群优势，自主开发了先进的铟回收提取工艺，目前已建立了“铟基残靶、含铟废料（回收）－铟锭（提纯）－铟基氧化物靶材”的铟基材料制造循环体系；同时已启动“6N级以上高纯铟制备工艺研究”和“磷化铟半导体材料制备工艺研究”在研项目立项，该在研项目尚在研发中，项目实施后，一方面可研发生产磷化铟半导体材料用的6N及以上高纯铟；另一方面可以直接生产出磷化铟多晶和单晶衬底。6、南大光电国内唯一规模化量产6N高纯三甲基铟（MO 源），为磷化铟外延片必备前驱体材料，自研提纯合成工艺打破海外垄断。配套电子级高纯磷源，覆盖磷化铟外延制造上游核心耗材，半导体材料认证资质齐全。7、博杰股份公司子公司博捷芯半导体公司的划片机已适用于光通信行业，具备磷化铟衬底切割技术能力；同时参股公司珠海鼎泰芯源晶体公司从事以磷化铟、锑化镓为主的III-V族化合物半导体单晶及衬底材料业务，其产品主要应用于光纤通信、光探测器等领域。实现衬底材料与加工设备协同布局，客户覆盖国内光芯片厂商。8、兴发集团公司目前已掌握磷化铟合成技术，满足磷化铟多晶及单晶工业化生产的技术要求。依托公司的高纯黄磷技术，磷化铟原材料电子级红磷小试验证进展顺利，若研发成功，有望打破电子级红磷的国外垄断，有助于建立磷化铟上下游联动的产业链体系。9、宿迁联盛（特别提示：纯题材炒作）或许是因为该行业需求旺盛，公司近期公告计划首期投资7000万元组建合资公司布局磷化铟衬底项目，配套高纯铟提纯配套产线规划，分两期建设4-6英寸磷化铟单晶产能。依托化工提纯技术积淀适配超高纯铟制备，项目建成后可实现磷化铟衬底原料自主供应，产能规划12万片 /年起步。