ASML官方图片展示了随着芯片微缩（工艺节点从 20nm 推进到 7nm），传统曝光技术（ArF 液浸曝光，即图中的 Immersion）所遭遇的物理瓶颈，以及 EUV（极端紫外线）带来的降维打击。

请将目光集中在图片右侧的两列（传统 7nm (中芯国际目前可以使用的最先进的光刻机)与 EUV 7nm 的直接对比）：

左边第三列：传统液浸曝光（7nm Immersion）
由于传统光源的波长较粗，在 7nm 这种极微小的尺度下，无法一次性“画”出细密的电路。为此，工程师不得不采用多重曝光（Multi-Patterning）技术（如 SAQP 等）。这就像用粗水彩笔画工笔画，需要分几十次、极其小心地重叠拼凑。

带来的后果：需要 33 张光罩（33x Masks），且需要经历 33 次曝光工序。

右边第四列：新一代曝光技术（7nm EUV）
EUV 的光波长极短（13.5nm），就像一把极其锋利、纤细的纳米手术刀，可以直接一次性雕刻出极微细的电路线条。

带来的改变：同样实现 7nm 工艺，光罩数量骤降至 9 张（9x Masks），曝光工序也缩减到 9 次。

补充关键指标（# OVL Metrology）：
传统 7nm 工艺由于要重叠拼凑 33 次，为了防止图层对歪，需要进行 59〜65 次的“对齐测量”；而 EUV 只需要 12 次。

表面上看，买一台 EUV 要花1.24 亿美元 ，简直是天价。但如果不用 EUV，继续用老设备硬撑着去做 7nm，半导体厂将会面临两个毁灭性的灾难：

灾难一：成本不减反增（经济账算不过来）

工序从 9 次暴增到 33 次，意味着芯片在晶圆厂里流转的周期（交期）会延长数倍。同时，33 张最先进的光罩（每张都极其昂贵）以及多出来的几十道刻蚀、清洗、检测设备的折旧费、维护费、人工和耗电，其综合运营成本早就远远超过了一台 1.24 亿美元 EUV 的售价。

灾难二：良率彻底崩溃（做出来的全是废品）

在半导体制造中，有一个铁律：“工序越多，出错的概率越呈指数级上升”。
每多曝光一次、刻蚀一次，芯片沾染灰尘（微粒）或遭遇机械误差的机率就大一分。更致命的是，要在纳米级别下把 33 层复杂的图案“严丝合缝地重叠对齐（Overlay）”，已经逼近了物理极限。一旦有一层对歪了一纳米，整颗芯片就会短路报废。

传统 7nm： 反复折腾 33 次，良率（合格率）惨不忍睹，大部分晶圆只能变成报废的硅片。

EUV 7nm： 简化到 9 次，犯错机会大大减少，良率直线飙升。

这就是半导体行业中，经典的“用极其昂贵的尖端设备，换取极致生产效率与经济效益”的范例