一、Rubin（Vera Rubin NVL72）机柜用量最高的功率半导体
Rubin核心升级为800V高压直流（HVDC）兆瓦级液冷整机柜，分机柜电源侧、GPU板载供电、保护器件三大场景，四类器件用量最大：
1. 1200V SiC MOSFET（整机柜价值占比最高，核心刚需）
应用场景
18.3kW大功率PSU、800V转48V DC-DC、固态断路器SSCB、PFC整流单元，是Rubin架构和上代GB200最大差异点。
Rubin单柜24~36台18.3kW电源，单电源内置8~12颗SiC MOS；
800V高压架构下SiC渗透率从传统服务器30%提升至70%，完全替代高压硅IGBT；
主流规格：1200V SiC MOSFET分立器件、半桥功率模块，用于高压一次侧变换。
2. 中高压功率MOSFET / DrMOS（GPU板载供电，数量最多）
应用场景
GPU卡本地VRM（PoL降压）、主板辅助电源、托盘背板供电。
单张Rubin GPU搭载80+颗DrMOS（上代GB200仅70颗），电流规格升级至100~110A；
NVL72整机柜72张GPU，仅板载DrMOS总量超5700颗，是数量最多的功率器件；
规格：40V~100V中压硅MOS、集成DrMOS多相Buck芯片。
3. SiC肖特基二极管（电源整流，用量庞大）
应用场景
PSU二次侧整流、PFC校正、辅助电源。
高压SiC二极管开关损耗远低于硅快恢复二极管，所有18.3kW电源标配，单机柜数千颗，国内扬杰、三安批量供货英伟达电源厂。
4. 高压IGBT（电网输入级、UPS/PDU，配套用量）
仅机柜前端380V交流输入、固态变压器SST、机柜UPS使用；800V主转换环节基本被SiC替代，仅低压辅助回路保留硅IGBT模块。
补充：配套功率保护器件（整机柜标配）
高压直流熔断器（中熔电气）、TVS功率保护管，属于功率配套元器件，单机柜价值增量显著。

二、对应国内各细分赛道绝对龙头（适配Rubin 800V架构）
1. SiC MOSFET（Rubin核心增量赛道，优先级最高）
斯达半导（603290）
国内AI服务器高压SiC模块绝对龙头，自研1200V SiC MOS模块已通过英伟达800V架构认证，通过台达、麦格米特间接批量供应Rubin机柜电源；国内唯一实现高压SiC模块大规模配套算力整机柜厂商，车规+AI算力双主线IDM。
三安光电（600703）
SiC衬底+芯片+器件全栈布局，1200V SiC分立MOS、SiC二极管批量导入18.3kW算力电源，供给光宝、麦格米特。
基本半导体
工业级SiC半桥模块头部，SSCB固态断路器专用SiC模块独家配套Rubin高压直流保护单元。
天岳先进：SiC衬底上游龙头，为上述器件厂提供导电型衬底。
2. DrMOS/中高压功率MOSFET（GPU板载用量第一）
华润微（688396）
国内IDM功率MOS龙头，40V~100V服务器DrMOS、中压MOS大批量供货AI整机厂，高盛重点看好Rubin 800V电源增量标的，自有8英寸产线保障产能。
新洁能：服务器多相DrMOS、低压功率MOS核心供应商，国内头部服务器VRM方案标配。
闻泰科技（安世半导体）
全球分立器件大厂，高压/中压硅MOS、功率二极管全球化供货，海外云厂商Rubin整机间接供应商。
3. SiC二极管/整流分立器件（电源整流刚需）
扬杰科技（300373）
国内分立器件全能IDM，SiC二极管、功率整流桥直接进入Rubin 18.3kW电源供应链，通过代理商批量配套台达、光宝，全系列功率器件适配算力电源高低压全链路。
4. IGBT模块（机柜前端配电/UPS）
斯达半导：同时覆盖SiC与硅基高压IGBT，800V机柜前端固态变压器SST主流国产器件；其次士兰微（600460），国内综合IDM龙头，工业/数据中心IGBT批量出货。
5. 整机柜电源厂商（功率器件下游载体）
麦格米特（002851）
唯一进入英伟达Rubin认证的大陆大功率电源厂商，18.3kW 800V HVDC电源二供，直接拉动上游国产SiC、MOS器件导入验证。

三、赛道精简总结（最纯正受益Rubin国产龙头）
SiC高压核心：斯达半导（认证落地+模块龙头）
板载DrMOS数量弹性：华润微
整流SiC二极管：扬杰科技
衬底上游：天岳先进
配套电源载体：麦格米特