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【上海交大集成电路学院朱敏课题组与IMEC联合发表自选通存储器综述文章】
6月17日，上海交通大学集成电路学院（信息与电子工程学院）朱敏课题组联合比利时微电子研究中心（IMEC）Taras Ravsher、Sergiu Clima、Daniele Carbin等研究人员，在《Materials Today》共同发表题为“Chalcogenide Selector-Only Memory”的综述论文。该工作系统总结了近年来快速发展的自选通存储器（Selector-Only Memory，SOM）技术的发展历程、材料体系、存储机理及未来应用前景，为新型高密度存储器的发展提供了重要参考。
文章进一步系统归纳了目前已报道的硫基、硒基和碲基等SOM材料体系，比较分析了不同材料在开关速度、漏电流、存储窗口、耐久性和热稳定性等关键性能指标上的特点。针对SOM的存储机理问题，论文重点讨论了原子偏析机制（Atomic Segregation）、梯度带隙模型（Graded Band-Gap）、各向异性结构单元模型（Anisotropic Structural Unit）以及界面能带弯曲模型（Interfacial Band-Bending）等主流物理模型，并客观评估了现有机制的应用场景及其局限性。此外，综述还展望了多层硫系材料堆叠、异质结构设计、三维垂直集成以及面向人工智能计算的新型存储架构等前沿研究方向，为未来高性能SOM器件的设计与产业化发展提供了理论依据和技术路线参考。
研究团队认为，随着人工智能和数据密集型计算的持续发展，未来存储系统将对容量、速度与能耗提出更高要求。凭借结构简单、高密度、高速度和低功耗等优势，SOM有望在存储级内存、神经形态计算以及内存扩展等领域发挥重要作用，并成为下一代高性能存储技术的重要发展方向。