【三星冲刺1000层NAND】在2026年VLSI研讨会上，三星公布了面向2030年的V-NAND路线图，核心方案是通过CMB技术将两块450层NAND晶圆键合为一体，构建900至1000层以上的堆叠结构。MoreThanMoore的Ian Cutress博士指出，这一方案可将目前8TB QLC SSD的容量提升至32TB。
从三星展示的路线图来看，NAND行业刚刚步入400层时代，2029年将实现420层，2030年突破560层，随后在下一个十年初期冲击1000层以上。层数越堆越高带来的首要挑战是晶圆翘曲，层数越多，堆叠应力越大，晶圆在制造过程中容易发生弯曲变形，导致光刻对准失败和良率骤降。对此，三星给出的解决方案是Upper Chuck Design，通过专用夹具控制晶圆翘曲，同时配合Overlay Correction技术修正层间对位误差，为后续层数扩展留出空间。不过目前这一技术仍处于原型阶段，从原型到量产仍需解决键合精度、热膨胀匹配和量产良率等工程问题。