光芯片简明对比表（2026最新）

一、核心工艺与IDM属性
标的 晶圆产线&工艺 IDM模式 核心路线定位
卓胜微 12寸 SiGe+SOI双产线（芯卓），193nm光刻，国产唯一规模化12寸SiGe 全IDM（自研+自建晶圆制造） 高速电芯片(TIA/Driver)+硅光无源PIC，上游芯片供货商、不做光模块整机
光迅科技 8寸SiGe+8寸SOI+6寸磷化铟产线，无12寸先进线 全产业链IDM（磷化铟有源+硅光无源+器件+模块） 全品类光芯片：DFB/EML有源激光器+硅光PIC+探测器+模块，国内有源芯片龙头
曦智科技 无自建晶圆，台积电12寸SOI代工流片 Fabless（只设计、无晶圆厂） 高端硅光PIC+光计算芯片，主打AI光互连+光子算力芯片
天孚通信 无自建芯片晶圆产线 器件组装+封装，芯片全部外采 无源器件+光引擎封装，外购激光器/硅光裸片做集成，CPO光引擎龙头

二、三大芯片分项实力（TIA电芯片/硅光PIC/磷化铟有源激光器）
1、高速电芯片（TIA/Driver，光模块刚需）
• 卓胜微：国产第一梯队：112G/224G PAM4（800G/1.6T）送样中际旭创/新易盛，2026下半年小批量；性能对标Tower中端，12寸成本优势极强，射频技术复用低噪声优势明显
• 光迅科技：中低端量产、高端偏弱：自研SiGe但8寸产线，高速112G TIA性能弱于卓胜微，优先自用配套光模块、对外出货少
• 曦智：无自研电芯片，TIA全部外购（Tower/卓胜微备选）
• 天孚：无芯片自研，TIA、Driver全部外购海外/国产芯片
2、硅光PIC（SOI光路芯片，无源调制/波导）
• 卓胜微：技术落地、小批量送样：自有12寸SOI流片，光电异质集成方案，实验室流片完成、客户端小量试样，未量产
• 光迅科技：国产最早规模化量产：8寸SOI，800G/1.6T硅光芯片批量自用，良率80%+，配套自研光模块出货，国内商用落地最快
• 曦智：高端硅光量产落地：台积电代工12寸硅光，800G/1.6T硅光批量供货英伟达/云厂商，集成度行业顶尖（数万光子器件），附带光计算专用硅光芯片PACE系列
• 天孚：无自研硅光裸片，外购硅光芯片+自研FAU/耦合，封装做成光引擎，英伟达CPO主力封装厂
3、磷化铟有源光芯片（EML/CW激光器，发光芯片，硅光必备光源）
• 卓胜微：空白，6寸产线预留改造空间，仅技术储备、无产品，光源全部外购
• 光迅科技：国内顶尖量产：25G DFB自给90%+、50G EML量产、100G EML客户验证，少数具备全系列InP自研制造的国产厂商
• 曦智：外购光源，自研配套小型化CW光源，大批量EML依赖Lumentum等海外厂商
• 天孚：完全外购，CW/EML采购Lumentum/博通，自研无有源芯片能力

三、量产&商业化进度（2026年中）

1. 卓胜微：TIA验证收尾（2026H2小批量）；硅光PIC试样；无营收贡献
2. 光迅科技：有源+硅光全部量产，芯片自用+外销，光芯片稳定贡献主营利润
3. 曦智：硅光互连芯片批量出货；光计算芯片小批量商用，整体仍亏损投入期
4. 天孚：光引擎大规模量产（1.6T主力供英伟达），靠封装+无源器件盈利，不赚芯片钱

四、优劣势一句话总结
• 卓胜微优势：12寸SiGe电芯片国产稀缺IDM，TIA国产替代核心标的；短板：缺有源激光器、硅光量产滞后
• 光迅优势：全栈光芯片（有源+无源）国内唯一，自产光源+硅光闭环；短板：8寸工艺、高端TIA性能不足
• 曦智优势：高端硅光集成+光计算独家赛道，绑定海外AI大厂；短板：无自有晶圆、电芯片依赖外购
• 天孚优势：全球顶级光引擎/CPO封装能力、英伟达核心供应链；短板：零芯片自研，上游芯片卡脖子（EML紧缺）

五、赛道分工
• 芯片上游供货：卓胜微（电）+光迅（有源+硅光）+曦智（高端硅光）
• 中游封装整机：天孚通信（光引擎）+光迅（光模块）