2025年10月俄跳板电子签订授权协议获得LA664 内核、DDR4 内存、PCIe 4.0 物理层等授权和龙芯LoongArch的修改权限。但俄没有自有的10nm工艺，台积电又拒绝代工，因此应该是俄根据自己需求做了开发修改，大陆这边制造3C6000/S，在俄境内配了自己的安全模块后组装生产。达产后3万/年。
发布于 北京
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2025年10月俄跳板电子签订授权协议获得LA664 内核、DDR4 内存、PCIe 4.0 物理层等授权和龙芯LoongArch的修改权限。但俄没有自有的10nm工艺，台积电又拒绝代工，因此应该是俄根据自己需求做了开发修改，大陆这边制造3C6000/S，在俄境内配了自己的安全模块后组装生产。达产后3万/年。