【独家参考】磷化铟

磷化铟衬底成为短期内难以缓解的战略性稀缺资源

AI算力增长驱动光器件需求，机构指出，磷化铟凭借超高电子迁移率与精准匹配通信窗口的直接带隙特性，有望成为1.6T及CPO时代高速光芯片不可替代的物理基石。

磷化铟（InP）作为第二代化合物半导体的核心，相较于传统硅材料，磷化铟拥有其4倍以上的电子迁移率，这使其在高频高速场景下展现出卓越的性能。

东吴证券指出，磷化铟产业链表现出极高的进入壁垒与严重的供需错配。

AI数据中心的大规模建设极大拉动磷化铟的需求，但磷化铟衬底生产需在高温高压下进行极端的环境控制，叠加设备交付慢、良率爬坡难及长达两年的客户认证期。这种长周期、技术壁垒高、重资产的特性，构筑了极强的行业护城河，使磷化铟衬底成为短期内难以缓解的战略性稀缺资源。Yole预测2026年全球需求飙升至260万至300万片，有效产能仅提升至75万片左右，缺口仍在70%以上。

上市公司中，

$云南锗业 sz002428$ 云南锗业“高品质磷化铟单晶片建设项目”建设工作正按计划开展，项目产能将随着建设进度逐步释放。控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司生产的磷化铟晶片可以用于生产光模块中的激光器、探测器芯片。

$南大光电 sz300346$ 南大光电 三甲基铟年产能共计5吨，其中可用于磷化铟外延生长的高纯三甲基铟年产能约为1.5吨。 http://t.cn/RvXDEnb