就这样吧，只要不卡自检，极大概率就能过TM5和MT100。主要是我这双面Adie内存条的体质雷，并且以前出过问题，导致小参很难压。现在这个感觉不卡自检了。
对比图2 以前的EXPO Tweaked（6400 C32）FCLK=2133来讲，延迟只高了3ns左右，已经很不错了。
在抄对作业的情况下，估计国产长鑫颗粒/镁光颗粒的都比我现在的好办（要是我的内存条是较新的没出过问题的都好办）
一些BIOS设置技巧：不要选EXPO XMP D.O.C.P.（选“Manual”即手动模式），关闭延迟杀手类型的设定（比如华硕主板要把Core Tuning Config For Gaming设为Level 2），Power Down Enable和Memory Context Restore都选“Disabled”，CPU SOC Voltage选手动模式并拉到1.2V，CPU VDDIO/MC Voltage拉到1.42V，VDDP Voltage拉到1.1V，DRAM VDD Voltage和DRAM VDDQ Voltage都至少1.4V，VDDG CCD Voltage和VDDG IOD Voltage都至少950mV，PMIC Voltage通常就选个“Auto”，High DRAM Voltage Mode选Enabled。双面海力士颗粒的话，trdrdsd、trdrddd、twrwrsd、twrwrdd不能硬填1（填4或8）。Bank Refresh Mode选FGR（Fine Granularity Refresh Mode）。Gear Down Mode选“Auto”即可（别选“Enabled”）。
这种内存反向超频也适合游戏本，原因是4400 c24、4200 c24这种对内存电压要求很低，甚至此时游戏本内存电压只用1.1V就可以，虽游戏本内存压参肯定不能像台式机那样狠，但这种依旧比游戏本6000 c38简单（游戏本超频会丢质保）#内存超频# #内存反向超频#