【Light | 单片集成Sn-Pb钙钛矿近红外成像芯片】华中科技大学武汉光电国家研究中心唐江教授、高亮教授与陈超副教授团队在《Light: Science & Applications》上发表论文，摒弃了传统的体相掺杂思路，首创Sn(SCN)₂无机分子表面钝化策略。通过将Sn(SCN)₂分子精准覆盖在Sn-Pb钙钛矿薄膜的上表面，填充锡空位、抑制表面氧化，一举将表面缺陷密度降低两个数量级。在此基础上，他们首次实现了Sn-Pb钙钛矿光电探测器与商用CMOS读出电路的单片集成，成功制造出全球首款640×512像素的近红外成像芯片。【点击链接阅读原文：http://t.cn/AXMg0vuq】
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