圖一就是在說之前提過的Metal pitch微縮帶來的R值暴增問題：

http://t.cn/AXbyUSaT

Intel的解法是圖二的從Cu換成Ru ，另外電容暴增問題則是圖三的air gap。

所謂的air gap是什麼？就是把導線間的介電層直接用空氣來做。之前大家應該常聽到金屬層有RC delay問題，即阻值和電容乘積，造成speed變慢或功耗提高。阻值問題未來可能靠換其他金屬，而電容則是要靠low K材料，而空氣就是K值最低的東西…

那麼會有什麼挑戰？這就要分享很久以前三星的故事XD那時三星為了低電容，上了多孔材料-因為有很多孔洞，裡面可以有空氣，所以自然比非孔洞材料低K。

然而這個東西三星沒看清楚風險就上了，結果有一天某客戶的design讓三星的金屬層發生倒線事件：因為你是多孔材料，機械性質支撐性自然不好，這個事件讓三星直接在這個客戶的產品良率歸0，連夜撤換材料重新開發[允悲]

而現在大家要挑戰的是連材料都沒有，就是直接上air，所以我之前有說，現在不是你能做出多密的東西，而是如何在微縮到很密的情況下，性能和功耗還要有增加，不然不管你在多密都不會有客戶想用你[doge] （ http://t.cn/AXw23zBU ）

現在的先進製程競爭早已不是純看密度了，所以我一直說有些槓精覺得台積沒核心技術就是靠ASML光刻機，真的是洗洗睡[笑而不語]