#焦点新闻# 近日,台积电总经理在ICCAD - Expo 2025上表示,3nm是最终且最优异的FinFET技术,N3E已实现旗舰移动及HPC/AI产品量产,截至9月已获约100份NTO,预计会成为高产量、长期运行的制程节点http://t.cn/AXyzgyt7
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#焦点新闻# 近日,台积电总经理在ICCAD - Expo 2025上表示,3nm是最终且最优异的FinFET技术,N3E已实现旗舰移动及HPC/AI产品量产,截至9月已获约100份NTO,预计会成为高产量、长期运行的制程节点http://t.cn/AXyzgyt7