【铌酸锂芯片实现量子调控突破，让厘米级芯片也能容纳1000多条量子通道】

近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所的研究人员首次在铌酸锂#芯片# 上揭示了在低温环#铁电材料# 境下的调控功能，实现了片上独立调控，打造了直流直驱铁电畴工程新技术，让可扩展量子光源的芯片化集成得以成功解决。

实验结果显示，#量子# 干涉的可见度高达 0.73（完美值是 1），证明这两个量子点之间建立了一条可靠的量子链接，这也是人们首次在铌酸锂芯片上实现如此高质量的量子干涉，为通向容错线性光学量子计算铺平了道路。

同时，他们此次在铌酸锂上实现的直流驱动铁电畴工程功能，为芯片上的量子调控以及新兴量子材料在量子调控中的应用提供了一条全新路线，也为具有相似特性的材料在量子光学中的应用提供了重要指南，相关论文发表于Nature Materials。

在量子世界，一个微小的粒子比如光子可以同时处于多个位置，这就好比有一天你可以同时出现在公司办公楼和小区居民楼一样神奇，这种分身术就叫量子叠加。

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