存储供需格局结构性转变，看好行情持续性

本轮存储涨价绝非短期供给收缩的周期性波动，而是由AI需求侧强力驱动、叠加供给端战略性转向所引发的结构性行情。我们重申对存储板块的乐观展望，预期涨价强度与持续性将超市场预期。

1️⃣价格预期全面上修
2025Q4 LPDDR5合约价涨幅上修至6-8%，LPDDR4暴涨40-50%，NAND Flash合约价涨幅预期升至15%。市场已全面上修价格预期，2026Q1传统淡季价格继续看涨。

2️⃣供给侧改革深化：海外原厂战略转向明确，DDR4/LPDDR4产能（导致涨幅最大），将资源倾斜至DDR5/HBM等高端产品。但高端产能瓶颈突出：DDR5/HBM产能利用率持续打满，新增产能到2025年底前有限；NAND产能利用率仍低于80%但无大规模扩产，供给弹性严重不足。

3️⃣ 需求端：AI驱动从“训练”走向“推理”，需求逻辑发生根本性转变
存储器下游需求中，手机/PC/服务器占比超80%，其中服务器占比约30%。当前需求侧正经历范式转换：
• 核心驱动：AI应用正从训练侧（消耗HBM）向推理侧/边缘侧扩散，驱动移动设备（LPDDR5x）、通用服务器（DDR5）、高带宽内存（HBM）及企业级SSD（eSSD）需求迎来爆发式增长。
• 数据中心需求最强：北美云厂商加大AI数据中心投入，存储池扩容与升级（HDD→SSD）为企业级SSD及高性能DRAM带来持续需求增量。

我们判断，此轮存储行情由“AI需求升级”与“供给结构性退出”双轮驱动，其持续性与强度将远超传统周期。

重点关注三条主线
1）布局DDR5/HBM先进技术的龙头；
2）受益DDR4/LPDDR4涨价的利基存储厂商；
3） 企业级SSD替代受益标的。

相关标的：

• 存储模组：开普云（金泰克企业级DDR5）、德明利、江波龙（信创SSD龙头）、佰维存储（华为生态）、香农芯创（SK海力士代理）；

• 存储芯片：兆易创新（DRAM设计）、澜起科技（内存接口芯片）、东芯股份（SLC NAND）、普冉股份（Nor Flash）。