SanDisk近日推出了一项新技术——高带宽闪存(HBF)，旨在进军AI市场。
高带宽闪存HBF是SanDisk经过带宽优化的NAND产品，设计思路类似于HBM，以大量I/O引脚并以硅通孔技术进行多层堆叠结合，相当于高带宽NAND闪存。HBF与HBM共享了电气接口，带宽也相接近，不过适配的介质从DRAM切换至NAND。
HBF结合了3D NAND的存储容量和类似HBM的高带宽，通过堆叠16层NAND芯片并采用硅通孔技术，实现每个堆叠容量是当前HBM的8到16倍。
传统的 NAND 芯片设计通常将核心 NAND 闪存存储阵列划分为平面、页和块。
而 HBF 似乎将芯片分解为 “众多子阵列”，以便能够同时进行访问。每个子阵列（拥有自己的页和块）大概都有其独立的读写路径，这一设计理念远超传统的多平面 NAND 设备。目前，第一代 HBF 将使用 16 个 HBF 核心芯片，SanDisk 还发明了一种专有的堆叠技术，以实现最小的翘曲，从而能够堆叠 16 个 HBF 核心芯片，并且开发出了可以同时从多个 HBF 核心芯片访问数据的逻辑芯片。
尽管HBF面临较高的延迟问题，但其适用于读密集型的AI推理任务。