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二氧化碲（TeO2）或可为p型半导体
最近，华中科技大学肖泽文教授联合宁波东方理工大学（暂名）魏苏淮教授、邱晨博士和东京科学大学（原名：东京工业大学）细野秀雄（Hideo Hosono）教授，对TeO2可否成为p型半导体这一科学问题进行了研究。他们发现，Te 5s轨道能级非常深，不能有效地与O 2p轨道杂化。因此，TeO2不论以何种形式（α相、β相、g相或二维纳米层）存在，其价带顶都较深，超出了p型掺杂极限。对TeO2中的缺陷计算表明，不论生长条件如何，平衡费米能级始终位于带隙中间区域，表现出恒定的绝缘特性。即使通过外掺杂，也无法使TeO2成为p型半导体。因此，Zavabeti等人在二维b-TeO2样品中观察到的p型半导体行为不是TeO2的内禀性质，而极可能源于其他杂相。