李某，男，61岁。右上后牙大面积缺损，根管治疗术后半个月，腭侧粘膜瘘管肿痛完全消退。今日复诊：去除16牙近远中和腭侧暂时邻面壁，激光切龈+排龈，显露残冠断面，1-4号P钻备腭根桩道，深度位于根管口下7mm，松风F00流体树脂覆盖颊侧根管口，填平髓腔倒凹。硅胶二印法取桩核模型，制作一体化纤维桩核

李某，男，61岁。右上后牙大面积缺损，根管治疗术后半个月，腭侧粘膜瘘管肿痛完全消退。今日复诊：去除16牙近远中和腭侧暂时邻面壁，激光切龈+排龈，显露残冠断面，1-4号P钻备腭根桩道，深度位于根管口下7mm，松风F00流体树脂覆盖颊侧根管口，填平髓腔倒凹。硅胶二印法取桩核模型，制作一体化纤维桩核。嵌体泥暂封腭根管口和髓腔，佩戴临时冠。