#混合键合#海力士26年将采用混合键合行业有望迎来加速

$拓荆科技(sh688072)$ $迈为股份(sz300751)$

7月17日，SK海力士计划于2026年在其HBM生产中采用混合键合，目前半导体封装公司Genesem已提供两台下一代混合键合设备安装在SK海力士的试验工厂，用于测试混合键合工艺。到目前为止，HBM在DRAM模块之间使用一种称为“微凸块”的材料进行连接。然而，通过混合键合，芯片可以在没有凸块的情况下连接，通过消除充当桥梁的凸块来显着减小芯片的厚度。

混合键合摒弃了DRAM内存层间添加凸块的繁琐步骤，通过铜对铜的直接连接方式实现层间连接，不仅显著提升了信号传输速率，更好地满足了AI计算对高带宽的迫切需求，而且有效降低了DRAM层间距。在HBM行业龙头公司的推动下，混合键合有望迎来加速发展。

行业公司中，
$拓荆科技(sh688072)$为国内量产型PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜沉积设备和混合键合设备的领军企业。
$迈为股份(sz300751)$公司新推出全自动晶圆临时键合设备和晶圆激光解键合设备，以及全自动混合键合设备等多款产品，将逐步推向市场。