年前来个大料：有可能是下一代大芯片的方向策略，IMEC和ASML都进行过验证，SAOP可以做到间隔16nm，LER极优。在理论上，SMIC用DUV是能把密度赶上的，成本可能会比较大，但对目标客户来说问题不大。
由于LER会导致电阻增加 以及 电流分布不均匀，EUV就存在随机LER效应，DUV没有，也算是因祸得福了~（图2）
tips：图1 in ShangHai
发布于 广东