看到华为有引入 CPU L4 缓存的一种方案，采用 STT-MRAM 存储单元阵列，叠加于 L3 缓存。
STT-MRAM 这种新型磁随机存储器，具有非易失性（写入信息断电也不会丢失，无需备用电源）、超高读写次数、读写延迟很低、结构简单（相比 SRAM ，只使用一个晶体管）、信息密度高、能耗更低等优点，是片上缓存等部件的优选。
目前 STT-MRAM 还没有大规模应用于 ToC 业务。商业方面如台积电已经推出基于 ULL 22nm CMOS工艺的 32Mb 嵌入式 STT-MRAM 技术方案，未来 STT-MRAM 的应用将逐步推广。