【#中科院微电子研究所在2T0C DRAM研究取得进展#】
中科院微电子研究所消息指出，相比传统的1T1C结构，2T0C-DRAM存在潜在的电流分享路径，不利于读写操作；两条独立的读/写位线使得电路布局布线更复杂，需要更复杂的外围电路控制读写；在阵列级的DRAM上，读字线存在严重的IR Drop问题，限制了阵列规模。http://t.cn/A697nkFU
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