#存储芯片全线触底反弹，涨价周期延续至四季度，供需紧平衡贯穿全年
7月3日早盘存储芯片板块率先走出触底反弹行情，北京君正盘中强势冲高，最大涨幅超12%，截至10:16涨幅收至7.93%，总市值来到1225亿元。海外韩系存储龙头同步异动，三星电子震荡走高；SK海力士早盘最深下挫超6%，随后快速拉升翻红，内外盘共振印证存储景气上行逻辑。

7月2日北京君正披露最新机构调研纪要，完整拆解本轮存储涨价节奏、产品价格走势、产能供给与远期景气度：
1、DRAM涨价浪潮持续扩散，业绩端稳步抬升
本轮DRAM涨价幅度显著，一季度国内下游客户率先上调采购价，二季度国内涨价延续落地，海外客户端同步开启涨价通道，带动二季度营收与毛利率环比抬升；三季度DRAM涨价趋势确定延续，四季度调价方案将于三季度敲定，从当下供需格局来看四季度供给依旧偏紧，后续仍具备提价空间。
2、SRAM、NOR Flash同步跟涨，品类景气分化
下游端出现SRAM替代DRAM的选型趋势，推动SRAM二季度价格上行；NOR Flash一二季度连续涨价，但整体涨幅弱于DRAM，该品类产能紧缺程度也低于DRAM。一季度公司Flash业务收入高增，核心驱动来自出货量扩张；三季度NOR Flash调价采取分产品、分客户差异化定价模式，并非全线涨价。受益全品类存储涨价趋势，公司毛利率有望逐季环比改善。
3、全产业链产能稀缺，今明两年供货无忧，新增产能明年下半年才放量
当前全球存储产业链整体产能极度紧缺，公司去年提前前瞻备货20/18/16nm新制程DDR4、LPDDR4产品，叠加当前持续量产备货，现有库存叠加持续产出可保障今明两年稳定交付；管理层同时海内外双线跟进晶圆代工资源扩充，新增产能最快要到明年下半年才会逐步释放。
4、下游涨价接受度良好，明年DRAM供需依旧偏紧
本轮涨价落地顺畅，下游客户普遍接受调价，核心制约因素集中在供给端而非需求端；明年传统DRAM新增产能难有明显扩张，供需紧平衡格局大概率延续，中长期涨价基础稳固。

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