为什么前面多次说过电子特气，比如氦气，比如六氟化钨等。

因为这些电子气体都是跟存储厂非常相关的。

比如氦气在HBM堆叠的工艺中，氦气消耗量是普通DDR内存的3–5倍。

比如六氟化钨，HBM因多层垂直堆叠，其垂直互连数量是普通DRAM的数倍，六氟化钨消耗量是普通DRAM的3倍。

前面多次说过，存储厂是不能停产的，必须源源不断的供给。

因此，这种气体的价格弹性就会非常高。

湿法化学品（比如氢氟酸）也是一样，都是同一个产业逻辑，HBM制造中的清洗和刻蚀的工序要比DRAM更多。