全球芯片巨头正在展开一场史诗级扩产，扩产逻辑已从补库存转向定标准。

台积电：今年资本支出大幅提升至600-650亿美元，接近历史峰值。重点扩产2nm制程，预计在台湾、美国亚利桑那州工厂推进。

英特尔：宣布在美国俄亥俄州建设“全球最大AI芯片制造基地”，预计总投资超1000亿美元。

三星电子：计划追加逾400亿美元投资，在韩国和美国新建先进制程产线。与此同时，韩国即将开始史上最大规模扩产计划。当地时间6月29日，韩国总统李在明宣布“三大超级项目”：三星电子与SK海力士将在西南部合建四座芯片工厂，投资规模约800万亿韩元，目标五年内DRAM产能翻倍；AI数据中心领域投入更高达1000万亿韩元。

SK海力士：正全力扩大HBM产能，以满足英伟达等客户需求。

美光科技：预计2026年资本支出超150亿美元，将用于支持AI芯片需求，同时扩大HBM产能和先进DRAM技术。

此轮扩产与以往有显著不同，不再只是补库存，而是围绕AI芯片架构争夺技术制高点，力求将自家的制造标准嵌入下一代AI芯片。

扩产对产业链的影响显而易见。

设备与材料 设备订单已排至2027年，部分关键材料供应趋紧。

国产替代 扩产过程中，国产设备验证导入窗口正在打开。

行业集中度 由于资金和技术门槛极高，行业集中度预计会进一步提升。

简单来说，这轮扩产的赢家，将定义未来五年的芯片版图。#全球芯片巨头史诗级扩产#